InP作爲襯底材料主要有兩種應用途徑：a.光電器件，包括光源（LED, LD) 和探測器（PD, APD)等，主要用於光纖通訊系統；b. 電子器件包括高速高頻微波器件（MISFET, HEMT, HBT)和光電集成電路（OEIC)。

     InP基微波器件是新一代衛星通訊和精確制導的關鍵元器件，它直接決定武器裝備系統的快速反應能力。 InP材料的出現以其高電子遷移率和高響應頻率使得在同一芯片上實現光電集成成爲可能，為光電子技術打下基礎。 作爲太陽能電池材料，其較高的理論轉換效率，尤其是優越的抗輻射性能，特別適於空間應用。因此，美國航空航天署（NASA)已在1991年5月發射的衛星上改用InP材料製作的太陽能電池。

      我們已經知道：InP單晶作爲襯底材料主要應用于光電器件和高速高頻電子器件。 N型InP (如東一晶體的InP-S, InP-Zn襯底材料) 單晶是光電器件的主要襯底材料，而高速高頻電子器件由於頻率的要求只能在半絕緣襯底上製作。因此，半絕緣InP晶體將成爲InP基電子器件和光電器件的共用材料。 而目前半絕緣InP材料主要靠單晶生長過程中摻一定量的Fe來實現。InP單晶的純度不僅影響其電學性質，而且影響器件質量。因此製備摻Fe半絕緣InP單晶時，材料越純越好，以便盡可能降低Fe的摻雜量而得到半絕緣性質的InP材料（東一晶體的InP-Fe質量已達到行業領先水平，如3'' InP-Fe EPD<500) 。

                產品應用之激光器             產品應用之光纖通訊

                產品應用之集成電路                產品應用之探測器

      如今，示波器的硬件帶寬已經可以達到60GHz以上，同時由於InP材料的優異特性，使得示波器的頻響更加平坦，底噪聲更低，同時其較低的功率損耗給產品帶來更高的可靠性。InP材料除提供優異的高帶寬性能外，其反向擊穿電壓更高，采用InP材料設計的示波器可輸入量程可達8V，相當於20dBm以上，大大提高了實用性。

      目前，高數碼率，波長單色性更優的InP基激光器，調制器，探測器及其模塊已廣汎應用于光網絡，從而推動互聯網數據信息傳輸量的飛速發展，不斷滿足人們對網絡向更高速和更寬帶寬方向發展的要求。