三安併購美國環宇 第三代半導體材料爭奪戰打響

2016/3/17

圍繞著第三代半導體材料的爭奪大戰正愈演愈烈。

繼美國外商投資委員會中國投資者以29億收購飛利浦旗下子公司的照明提議以阻止中國投資人藉此掌握第三代半導體材料氮化鎵的相關技術后，三安光電今日公告稱擬收購全球領先的化合物半導體晶圓製造服務商美國環宇公司。

3月11日早間，國內LED芯片巨頭三安光電（600703.SH）發佈對外投資公告稱：公司全資子公司廈門市三安集成電路有限公司（一下簡稱“三安集成公司”）擬以自有貨幣資金2.26億美金的交易總價合併英屬開曼群島商環宇通訊半導體控股股份有限公司（以下簡稱美國環宇）。

而這是三安光電在第三代半導體領域的首個大手筆跨國併購案

資料顯示，美國環宇成立於1997年，是全球領先的半導體晶圓製造服務商。公司製造的產品包括用於無線通訊市場的射頻積體電路（RFIC）和毫米波積體電路，用於功率電子市場的功率元件。和用於光纖通訊的光電探測器和激光器。2008-2015年，公司的營業規模快速增長，CAGR為13.3%，2015年的毛利潤和淨利潤分別達到42.42%和17.29%，在半導體製造領域處於較高水平。

化合物半導體三打材料GaAs份額最高，主要用於通訊領域，全球市場容量約74億美元，主要受益通訊射頻芯片，尤其是PA驅動； GaN大功率，高頻性能更出色，主要應用於軍事領域，目前市場容量不到2億美元，但未來有望稱號臟治10億美金；SiC可用作大功率高頻半導體如IGBT何MOSFET,當前2億美金市場，未來有望成長至20億美金，化合物半導體總市場未來將超過100億美金。”招商證券在一份研報中指出。

半導體材料發展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用於集成電路製造領域；第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應用於以光發射器件為基礎的光顯示、光通訊和光存儲等光電子系統；第三代半導體材料以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有寬的帶隙、強的原子鍵，高的熱導率，高熔點（1700攝氏度）、耐腐蝕等優點。

三安光電近年來在第三代半導體材料領域頻頻發力。

此前，三安光電擬增發募資建設年產30萬片GaAs和6萬片GaN 6寸生產線。目前，三安5000片/月的GaAs一期已經開始試產，預計明年中量產GaN產線設備亦在逐步到位。

“不全半導體化合物缺口，實現自主可控。”長江證券研究員莫文宇認為，近期美國對中興通訊下達出口限制，核心芯片的缺失將導致中興通訊多項業務面臨停業的風險，芯片的自主可控再次被推至風口浪尖。三安光電致力於GaAs和GaN芯片的研製和生產，將實現半導體化合物的自主可控。