3英寸 N/S 雙抛

產品詳細：

3英寸InP  N/S 雙抛

InP单晶片品质参数(VGF法生长)
品种	直径(inch)	类型	载流子浓度(cm-3)	电子迁移率(cm2/V.s)	电阻率(Ω.m)	错位密度(cm-2)
InP	2	N	≤1×1018	(3.5-4)×103		＜1×103
S-InP	2	N	(0.5-1)×1018	(2-4)×103		＜500
	3		(0.5-1)×1018	(2-4)×103		＜1×103
	4		(0.5-1)×1018	(2-4)×103		＜2×103
Zn-InP	2/3/4	P	(0.5-1)×1018	50-70		＜1×103
Fe-InP	2	SI		＞2000	＞0.5×107	＜2.5×103
	3
	4
晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100），2英寸片标准厚度350±25μm，3英寸片标准厚度600±25μm，4英寸片标准厚度625±25μm，其他特殊规格根据要求加工。